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本发明涉及薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法。多晶硅层包括多晶硅薄膜晶体管的多晶硅部。第一导体层包括多晶硅薄膜晶体管的第一栅极电极部。第一绝缘体层包括位于第一栅极电极部和多晶硅部之间的第一绝缘体部。氧化物半导体层包括氧化物半导体薄膜晶...
该专利属于武汉天马微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉天马微电子有限公司授权不得商用。

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