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一种包括ＣＭＯＳ结构的芯片，该ＣＭＯＳ结构具有设置在半导体衬底（５０）的第一区域（２４）中的体器件（２０），该第一区域与在其下的衬底的体区域（１８）相导通，第一区域（２４）和体区域（２０）具有第一晶向。ＳＯＩ器件（１０）设置在通过掩埋介电层...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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