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本发明揭示一种改善ＥＳＤ防护器件均匀导通的方法，适用于集成电路中静电放电（ＥＳＤ）防护器件的特性改进，其中所述的ＭＯＳ晶体管具有多个相互并联的指状元件，各指状元件分别关联于一个寄生三极管，且各寄生三极管的集电极（即ＭＯＳ晶体管的漏极）通过共...
该专利属于和舰科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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