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一种碳化硅肖特基二极管的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括外延层和肖特基金属层；外延层上设有依次排列的多个P型区；在外延层上表面沉积有肖特基金属层；P型区为亚微米级；由于P型区为亚微米级，故在较小的元胞尺寸范围内增加...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

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