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本发明公开了一种双层薄膜结构的全光控忆阻器件及其制备方法，所述全光控忆阻器件从下往上依次为SiO2衬底、惰性电极、ZnO薄膜层、MoO
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该专利属于东北师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北师范大学授权不得商用。

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