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本发明涉及部分硅化的非易失性存储器器件和集成方案。提供了一种非易失性存储器器件。该非易失性存储器器件包括有源区、n阱区以及分隔有源区与n阱区的隔离区。可以设置浮置栅极。浮置栅极可以布置在有源区的一部分和n阱区的第一部分上方。有源区中的第一掺...
该专利属于格芯新加坡私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯新加坡私人有限公司授权不得商用。

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