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本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体衬底，具有源/漏区以及栅极区；第一介质层，形成于半导体衬底上；MIM电容器，形成于第一介质层内，并与源/漏区或栅极区连接。本实施例在形成接触插塞过程中，同...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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