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本发明公开了一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、介质基板、铁底板，所述介质基板包括硅晶圆、硅晶圆上表面依次设有聚酰亚胺薄膜、上Cr/Au双层膜、上镀Au层，上Cr/Au双层膜上蚀刻有上表面电...该专利属于西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）授权不得商用。