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本发明提供一种具有衬底上复合半导体层的氮化镓异质结场效应晶体管，从下至上依次包括：衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层上方设有源极、漏极、P型氮化镓层、栅极，器件上表面源极与栅极之间、以及栅极与漏极之间都覆盖有一层钝...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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