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本发明属于难熔金属钒溅射靶材技术领域，具体涉及一种集成电路芯片用大尺寸超高纯钒溅射靶材及其制备工艺，包括以下步骤：步骤S1，将钒与氟气在高温条件下反应，制备出粗品五氟化钒；步骤S2，将粗品五氟化钒经真空蒸馏法、吸附法和金属还原法提纯后，得到...
该专利属于亚芯半导体材料（江苏）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过亚芯半导体材料（江苏）有限公司授权不得商用。

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