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本发明提供了一种三维存储器器件及其制造方法。其中，三维存储器器件包括：设置在第一衬底上的存储器件；设置在第二衬底上外围器件；一个或多个互连层，形成在所述存储器件以及所述外围器件之间；位于所述存储器件外围的隔离环；设置在所述第一衬底上，且位于...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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