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本发明涉及共集成的高压(HV)和中压(MV)场效应晶体管与防缺陷结构。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及共集成的高压和中压器件与防缺陷结构以及制造方法。该结构包括：集成在单个衬底中的绝缘体上半导体(SOI)区域和体区域；位于体区域中的至少一...
该专利属于格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司授权不得商用。

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