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提供了一种包括铁电层和两个或更多个电极层的铁电半导体器件和包括其的半导体装置。该半导体器件可以包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层具有比铁电层的热膨胀系数小的热膨胀系数。第二电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异可以...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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