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本发明涉及一种快速触发的静电保护电路，在一正静电电压产生时，可在分流晶体管的栅极上产生一瞬时的负电压。本发明的静电保护电路较传统使用栅极耦合Ｎ型晶体管（ＧＣＮＭＯＳ）的静电保护电路具有更佳的静电保护功效，特别适用于使用栅极氧化层厚度在４０＊...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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