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一种设有与信号输入端子电连接且包括第一晶体管和第二晶体管的冲击电压保护电路的半导体装置,其特征在于: 所述第一晶体管的基极最窄区域的宽度与所述第二晶体管的基极最窄区域的宽度不同,通过这种结构,使所述第一晶体管比所述第二晶体管更容易被击...该专利属于株式会社瑞萨科技、协荣产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社瑞萨科技、协荣产业株式会社授权不得商用。
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一种设有与信号输入端子电连接且包括第一晶体管和第二晶体管的冲击电压保护电路的半导体装置,其特征在于: 所述第一晶体管的基极最窄区域的宽度与所述第二晶体管的基极最窄区域的宽度不同,通过这种结构,使所述第一晶体管比所述第二晶体管更容易被击...