专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
长鑫存储技术有限公司
>
半导体结构的形成方法及半导体结构技术
>技术资料下载
下载半导体结构的形成方法及半导体结构的技术资料
文档序号:33338363
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构,包括:提供基底,基底包括中心区和位于中心区第一方向边缘的相对两外侧的虚置区,中心区包括成型区以及位于成型区第二方向边缘的相对两外侧的裁剪区;在基底上形成多个间隔设置的芯柱;在基底上形成环...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。