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制造具有分裂栅极结构的功率半导体器件的方法，提供：在衬底上形成单或多层外延层；形成穿过外延层的沟槽，其从外延层顶表面沿横向于顶表面竖直方向延伸；用电介质区域和导电屏蔽板元件填充沟槽，屏蔽板元件包括从下面的电介质区域突出的上部分和向内竖直于电...
该专利属于无锡锡产微芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡锡产微芯半导体有限公司授权不得商用。

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