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本申请涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法。其中，碳化硅结势垒肖特基二极管的制备方法包括：提供碳化硅衬底并在碳化硅衬底的上表面形成N型外延层；在N型外延层的上表面形成第一硬掩膜，并在第一硬掩膜上刻蚀出若干等距的第一开口；在第一硬掩膜...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

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