温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体发光元件，其从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体，多量子阱，导电型空穴注入层和第二导电型半导体，所述导电型空穴注入层的H浓度为5E18～1E20cm
...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。