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一种有机场效应晶体管制造技术
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文档序号:33291610
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本发明涉及有机半导体技术领域,公开了一种有机场效应晶体管,包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层;其中,所述有机半导体层包括纳米粒子,所述纳米粒子在有机半导体层中分布均匀且不连续,所述纳米粒子体积占有机半导体层体积的0.1
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该专利属于天津大学所有,仅供学习研究参考,未经过天津大学授权不得商用。
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