【技术实现步骤摘要】
一种有机场效应晶体管
[0001]本申请是申请日为2021年09月23日，申请号为202111110113.3，专利技术名称为“一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法”的中国专利申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及有机半导体
，特别是涉及一种有机场效应晶体管。
技术介绍
[0003]有机半导体薄膜因其固有的机械柔性在电子领域开辟了一系列新的应用场景，如柔性显示器、传感器、射频标签以及可穿戴电子设备等，是下一代柔性电子技术的核心材料。经过三十多年的发展，目前以有机半导体薄膜所制备的有机场效应晶体管的迁移率已经超越了无定形硅场效应晶体管。然而，基于有机场效应晶体管的商业化产品还未实现，其主要瓶颈问题在于有机半导体薄膜的聚集态结构稳定性差。在长时间放置以及高温条件下有机半导体薄膜会发生去浸润的形貌变化，导致有机半导体薄膜的聚集态结构不稳定，进而导致有机场效应晶体管的电学性能下降甚至完全失效，主要失稳形式表现为开态电流的下降，阈值电压的漂移以及迁移率的下降。因此，需要改善有机半导体薄膜的聚集态结构稳定性来使有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层；其中，所述有机半导体层包括纳米粒子，所述纳米粒子在有机半导体层中分布均匀且不连续，所述纳米粒子体积占有机半导体层体积的0.1
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3％。2.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述有机半导体层为多晶薄膜。3.根据权利要求2所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述有机半导体层为有机小分子半导体层或有机聚合物半导体层。4.根据权利要求1...
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