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本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管。所述方法包括：在硅衬底上形成第二掺杂类型的埋层，在第二掺杂类型的埋层上进行第一次外延掺杂形成第二掺杂类型的第一外延层；在第一外延层上进行第二次外延掺杂形...
该专利属于北京智芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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