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一种用于制造三层横梁ＭＥＭＳ器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层（３１０），和移去牺牲层（３１０）上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构（３１２）；在第一导电微型结构（３１２）、牺牲层（３１０）和衬底（３００）上淀积结构层（３２２），...该专利属于图恩斯通系统公司;维斯普瑞公司所有，仅供学习研究参考，未经过图恩斯通系统公司;维斯普瑞公司授权不得商用。
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一种用于制造三层横梁ＭＥＭＳ器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层（３１０），和移去牺牲层（３１０）上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构（３１２）；在第一导电微型结构（３１２）、牺牲层（３１０）和衬底（３００）上淀积结构层（３２２），...