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本发明披露ｐ型电极和使用它的Ⅲ－Ⅴ主族ＧａＮ基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于Ⅲ－Ⅴ主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Ｚｎ基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Ａｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉ...
该专利属于三星电子株式会社;光州科学技术院所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;光州科学技术院授权不得商用。

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