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在此公开了一种两－波长半导体激光器件。该两－波长半导体激光器件包括具有在其上彼此隔开的第一和第二区的第一导电材料衬底，在第一区上形成的第一半导体激光二极管，在第一导电材料衬底的第二区域上形成并包括与第一半导体激光二极管相同层的非有源层，在非...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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