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本发明公开了一种具有未掺杂镜的ＶＣＳＥＬ。在衬底上形成基本上未掺杂的底部ＤＢＲ镜。在该底部ＤＢＲ镜上形成周期性掺杂的第一传导层区。在光电场为约最小值处重度掺杂该第一传导层区。在第一传导层区上为包括量子阱的活性层。周期性掺杂的第二传导层区连接...
该专利属于菲尼萨公司所有，仅供学习研究参考，未经过菲尼萨公司授权不得商用。

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