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一种Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体激光二极管（１０）包括若干Ⅱ－Ⅵ族半导体叠层，它们构成一个由镓砷半导体基片（１２）所支持的ＰＮ结。在该ＰＮ结中形成的该叠层包括第一传导型的第一包覆层（２０），第二传导型的第二包覆层（２２），以及至少一个在上述第一和第...该专利属于明尼苏达矿业和制造公司;飞利浦电器公司所有，仅供学习研究参考，未经过明尼苏达矿业和制造公司;飞利浦电器公司授权不得商用。
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一种Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体激光二极管（１０）包括若干Ⅱ－Ⅵ族半导体叠层，它们构成一个由镓砷半导体基片（１２）所支持的ＰＮ结。在该ＰＮ结中形成的该叠层包括第一传导型的第一包覆层（２０），第二传导型的第二包覆层（２２），以及至少一个在上述第一和第...