含有铍的II-VI型蓝-绿激光二极管制造技术

一种Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体激光二极管（１０）包括若干Ⅱ－Ⅵ族半导体叠层，它们构成一个由镓砷半导体基片（１２）所支持的ＰＮ结。在该ＰＮ结中形成的该叠层包括第一传导型的第一包覆层（２０），第二传导型的第二包覆层（２２），以及至少一个在上述第一和第二包覆层（２０，２２）之间的第一导引层（１４）。一个离子井活性叠层（１８）设在该ＰＮ结内。电能通过第一和第二电极（４０，４１）连接至上述激光二极管（１０）。在该激光二极管中形成各类叠层（１４、１６、２０、２２、３６、３８）时均使用了铍。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体激光二极管，包括：包括Ｂｅ的第一传导型Ⅱ－Ⅵ族半导体的第一包覆层；覆盖该第一包覆层的Ⅱ－Ⅵ族半导体的第一导引层；覆盖活性层的Ⅱ－Ⅵ族半导体活性层；以及覆盖在第二导引层的、第二传导型Ⅱ－Ⅵ族含铍的第二包 覆层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯J米勒，迈克A哈斯，保罗F博德，迈克D帕施雷，
申请(专利权)人：明尼苏达矿业和制造公司，飞利浦电器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]