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提供了一种脊形波导半导体激光二极管及其制作方法。在半导体激光二极管中，其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上，第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面，其折射率低于有源层，半导体激光二极管经脊形部分与一个...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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