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本发明公开了一种使用电导法确定MOS器件中半导体掺杂杂质分布的方法。通过在低温下，在栅极施加不同电压对MOS电容进行电导法测试，选择离平带电压最接近的电导曲线图象作为第一条曲线，得到它的角频率、表面势和耗尽区宽度；通过捕获速率与释放速率的比...
该专利属于湖南大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学授权不得商用。

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