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本发明提供可以发射接近圆形的基本横模的激光且工作电流及元件电阻低的氮化镓半导体激光器结构。在ＧａＮ构成的基底层的上部，按下部包覆层２、有源层４、上部包覆层７及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和／或前述有源层与上部包覆层之间设置一个或...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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