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本发明公开了一种分离半导体激光二极管的方法。在该方法中，在一衬底上形成ｎ型化合物半导体层。在ｎ型化合物半导体层上形成具有ｎ型化合物半导体层的多个半导体激光二极管，使得半导体激光二极管的激光发射区彼此相连。在半导体激光二极管和用于彼此连接半导...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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