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本发明公开了一种半导体元件及其制备方法，其中制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成外延层；外延层远离衬底的一侧包括沟槽；于沟槽的侧壁以及底部形成第一绝缘层，并在第一绝缘层所围空间中形成第一多晶硅层和第二多晶硅层；其中第二多晶硅层作为栅极多晶硅...
该专利属于恒泰柯半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恒泰柯半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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