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一种自组织砷化铟／砷化镓盘状量子点材料的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　１）将砷化镓衬底进行脱氧处理，然后生长砷化镓缓冲层，提供应力缓冲；　　　　２）砷化镓衬底温度；　　　　３）退火后采用循环停顿生长方法，生长出砷化铟量子点，由...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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