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本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种GaAs纳米锥肖特基结太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括依次层叠的背面电极、表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaAs衬底、空穴传输层、石墨烯导电层以及正面电极；表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaA...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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