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本发明涉及一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法，方法包括：在衬底层上制备方块电阻异质结结构；去除欧姆再生长区域内的缓冲层和预设深度的势垒层；在图形化阵列区域内所暴露的势垒层上生长n
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该专利属于西安电子科技大学广州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学广州研究院授权不得商用。

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