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本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用Ｎ型的分布反馈布拉格腔镜（ＤＢＲ）取代Ｐ型的ＤＢＲ腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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