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本发明针对发射或吸收具有短波长的光的光子器件，其通过使用基片上生长的氧化钼形成，所述基片由从以下选择的材料组成：单质半导体、Ⅲ－Ⅴ或Ⅱ－Ⅳ化合物半导体、Ⅳ化合物半导体、有机半导体、金属晶体以及它们的衍生物或玻璃。实现了发射具有从蓝到深紫外线...
该专利属于河东田隆所有，仅供学习研究参考，未经过河东田隆授权不得商用。

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