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本发明涉及一种纳米级碳化硅单晶体的制备方法，包括以下步骤：以等离子体设备为反应器，采用钨棒为阴极，硅碳棒为阳极，移动阳极，从阴极引出电弧，保持电弧稳定，通过高能电弧等离子体作用，利用等离子体能量高度集中的特征，使硅碳棒迅速蒸发，形成蒸汽，再...
该专利属于青岛科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛科技大学授权不得商用。

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