温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种半导体结构及其制备方法。所述制备方法利用补充层填充掩膜层与覆盖层之间的空隙，避免在初始图案中形成与空隙对应的图案，则以所述初始图案为基础进行的图形转移后，能够避免在衬底中形成伪电容孔，防止阵列区边缘图案脱离预定设计，进而提高...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。