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本公开涉及一种半导体器件、半导体结构及其制造方法，其中，半导体器件包括：支撑柱；半导体层，环绕所述支撑柱的外表面的至少一部分，且所述半导体层沿第一方向具有相对设置的第一端和第二端；第一电极，所述第一电极与所述半导体层的第一端连接，并向远离所...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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