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目的在于实现一种在利用选择ＭＯＶＰＥ生长制造的半导体激光器中，抑制在宽幅部生长的再结合部的晶格弛豫，抑制漏电流，高可靠性的半导体激光器。利用选择ＭＯＶＰＥ生长制造半导体激光器时，通过作为氧化硅掩模１３的间隙的窄幅部１４上外延生长的ＤＨ台面带...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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