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一种高注入效率大功率８０８ｎｍ量子阱半导体激光器结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一Ｎ型下限制层，该Ｎ型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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