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本发明公开了一种垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）。该ＶＣＳＥＬ包括具有垂直生长部和横向生长部的基区。垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于第一光学反射器至少一部分上的氮化物半导体材料。有源区具有沿垂直方向位于基...该专利属于安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安华高科技ECBUIP(新加坡)私人有限公司授权不得商用。