氮化物半导体垂直腔面发射激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）。该ＶＣＳＥＬ包括具有垂直生长部和横向生长部的基区。垂直生长部沿横向位于第一光学反射器附近，横向生长部包括沿垂直方向位于第一光学反射器至少一部分上的氮化物半导体材料。有源区具有沿垂直方向位于基区的横向生长部至少一部分上的至少一个氮化物半导体材料量子阱，并包括第一导电类型的第一掺杂剂。接触区包括沿横向位于有源区附近的氮化物半导体材料和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂。第二光学反射器沿垂直方向位于有源区上，并与第一光学反射器一起形成垂直光学腔，该光学腔与有源区至少一个量子阱的至少一部分重叠。本发明专利技术还描述了制造ＶＣＳＥＬ的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化物半导体垂直腔面发射激光器。
技术介绍
VCSEL是由夹在一对高反射性的反射镜堆叠之间的光学有源半导体区形成的激光器件，反射镜堆叠可以由若干层金属材料、介电材料或外延生长半导体材料形成。近来，已经进行各种努力使VCSEL器件的工作波长延伸到200nm至600nm的更短波长范围(即，可见光谱的紫色区到红色区)。许多氮化物半导体材料(例如，诸如GaN、AlGaN和AlInGaN的GaN基材料)具有对应于该波长范围的带隙能。由于这个原因，已经进行很多的努力制造产生这个波长范围内的光的氮化物半导体发光器件。有关设计高性能氮化物半导体VCSEL的问题之一涉及通常用氮化物半导体材料形成的高阻P型腔内接触。这些接触增加电压降，并且增加在VCSEL内产生的热。另一个问题涉及的是，由于非均匀泵浦效应，能够结合在垂直电流注入型VCSEL设计中的有限数量的量子阱。这种情形限制了能够获得的光增益性能。
技术实现思路
根据本专利技术，使用横向电流注入方法以减少对于在氮化物半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)中量子阱的数量和P型接触区的厚度的限制。这允许比可比较的垂直注入型氮化物半导体VCS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直腔面发射激光器，包括：第一光学反射器；基区，所述基区具有垂直生长部和横向生长部，所述垂直生长部沿横向位于所述第一光学反射器附近，所述横向生长部包括沿垂直方向位于所述第一光学反射器的至少一部分上的氮化物半导体材料； 有源区，所述有源区具有沿垂直方向位于所述基区横向生长部的至少一部分上的至少一个氮化物半导体量子阱，所述有源区包括第一导电类型的第一掺杂剂；接触区，所述接触区包括沿横向位于所述有源区附近的氮化物半导体材料和第二导电类型的第二掺杂剂 ，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第二光学反射器，沿垂直方向位于所述有源区上，并...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：斯科特W科尔扎因，戴维P保尔，
申请(专利权)人：安华高科技ECBUIP新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]