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本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而使得栅漏...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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