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本发明提供一种NOR闪存的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极叠层；在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述衬底及所述栅极叠层的外壁，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的氧化层、氮化硅层及第一多孔碳层；刻蚀所述堆叠层形成露出所述...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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