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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过第二光阻层和硬掩膜层共同作为掩膜以对待刻蚀层进行刻蚀，相较于仅仅通过第二光阻层为掩膜来刻蚀待刻蚀层的方式，本发明能够得到线宽尺寸更小的第二沟槽。本发明优化了半导体器件的制作方法，实现半导体器件中更...
该专利属于澳芯集成电路技术（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过澳芯集成电路技术（广东）有限公司授权不得商用。

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