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本发明涉及用于光信号放大或者光信号的相位调制的半导体器件领域。具体地，本发明公开了具有嵌位载流子密度的半导体光器件。所述器件基本上在于三个原理：该器件的有源区（１）具有量子点结构，该结构的原子拥有称为基态的第一能量过渡态以及称为激发态的第二...
该专利属于阿尔卡特公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿尔卡特公司授权不得商用。

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