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本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底（Ｕ）上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模（Ｍ）的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模（Ｍ）的地衬底（Ｕ）上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模（Ｍ）外围朝着内部生...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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